10kW全橋移相ZVSPWM整流模塊的設計
介紹10kW全橋移相ZVSPWM DC整流模塊主電路和控制電路的設計,給出主變壓器和諧振電感的參數計算,較后給出實(shí)驗波形。關(guān)鍵詞:全橋相移;零電壓開(kāi)關(guān);分類(lèi)號:文件識別碼:文章編號:0簡(jiǎn)介
在大型發(fā)電廠(chǎng)中,由于DC負載大,電池的容量通常在2000安培小時(shí)以上。如果使用常規的10A或20A開(kāi)關(guān)整流模塊,一般需要并聯(lián)20個(gè)以上的模塊,并聯(lián)數量太大,會(huì )對模塊間的均流產(chǎn)生一定的影響,可以吃圓。當你談到你的大腦和你的櫻花時(shí),你是不是又累又迷茫?還有不到0。目前,電廠(chǎng)中有許多大容量DC充電電源,因此有必要為電廠(chǎng)用戶(hù)開(kāi)發(fā)大容量開(kāi)關(guān)整流器充電電源。本文介紹的10kW全橋移相ZVSPWM整流模塊考慮了這一要求。采用帶箝位二極管的ZVS-FB PWM DC變換技術(shù),控制電路采用UC3879專(zhuān)用全橋移相控制芯片,采用輕載降低開(kāi)關(guān)頻率等技術(shù),具有重量輕、效率高的優(yōu)點(diǎn)。
1整流模塊主電路設計及參數計算
整流模塊的主電路框圖如圖1所示,由輸入EMI濾波器、整流濾波器、ZVS全橋變換器、輸出整流濾波器和輸出EMI濾波器組成。
圖1主電路原理框圖
在圖1中,全橋相移ZVS變換器由開(kāi)關(guān)管S1-S4、箝位二極管D1和D2、諧振電感Lr、DC阻斷電容Cb、干線(xiàn)變壓器T1、吸收電阻和電容組成,其中S1和S3是主導管,S2和S4是滯后管。S1(S3)領(lǐng)先S4(S2)一個(gè)角度,即相移角。S1 ~ S4由IGBT單管并聯(lián)組成,開(kāi)關(guān)頻率約為25kHz。
1.1干式變壓器參數設計
由于設計的全橋移相ZVSPWM整流模塊較大輸出功率接近10kW,如果使用常規鐵氧體磁芯,由于功率比較大,所以磁芯沒(méi)有選好,實(shí)際設計中采用了超微晶磁環(huán)。與鐵氧體相比,超微晶材料具有較高的飽和磁密度(高達1.2~1.6T)、較低的損耗和優(yōu)異的溫度穩定性等優(yōu)點(diǎn),非常適合用作大功率開(kāi)關(guān)電源主變壓器的磁芯。
該模塊的輸入輸出指標為輸入304 ~ 456 V,輸出198 ~ 286 V/35a。
1)DC母線(xiàn)較小電壓Vdmin
VdminVinmin1.35=410.4V(1)
其中,Vinmin是304V三相輸入電壓的較低值。
2)干式變壓器二次側較小電壓V2min
v2min=(Vomax+VD+Vr)/Dmax=(286+3+2)/0.95=306.3V(2)
其中:Vomax為模塊較高輸出電壓,取286V;
VD是整流二極管的壓降,為3v;
Vr是干式變壓器二次繞組的內阻壓降和線(xiàn)壓降,為2v;
Dmax是較大占空比,取0.95。
3)干式變壓器的變比N
n=Vdmin/V2min=410.4/306.3=1.33
實(shí)際干式變壓器一次側21匝,二次側16匝,變比21/16=1.3125。
1.2諧振電感Lr參數的設計
在全橋移相ZVS變換器中,在引線(xiàn)管S1(S3)的開(kāi)關(guān)過(guò)程中,由于輸出濾波電感L1與諧振電感Lr串聯(lián),而L1一般大于諧振電感,所以引線(xiàn)管很容易實(shí)現ZVS。在滯環(huán)管S2(S4)的切換過(guò)程中,由于干式變壓器的二次側短路,ZVS是通過(guò)諧振電感Lr的能量實(shí)現的,因此滯環(huán)管很難實(shí)現ZVS,一般設計為在1/3滿(mǎn)負荷以上實(shí)現零電壓切換。 #p#分頁(yè)標題#e#
Lr=8CmosVdmax2/3I12[2](3)
公式中,Cmos為開(kāi)關(guān)管的漏源電容(包括外部分流電容),實(shí)際取3300pF;
Vdmax是DC母線(xiàn)電壓的較大值,取值為
1.35456=615.6v;
當滯后臂開(kāi)關(guān)管關(guān)閉時(shí),I1是主要電流。
I1=(Imoax/3+I1f/2)/n(4)
其中:Iomax
圖2中,ISET為限流設定值,VSET為電壓設定值,分別由微處理器產(chǎn)生;IO為輸出電流值,VFB為輸出電壓反饋值;SHT為故障停機信號,IPR為一次電流采樣值。
UC3879采用電流模式PWM控制方式,將干式變壓器的一次電流引入芯片,提高了模塊的瞬態(tài)響應速度。UC3879輸出的OA、OB、OC、OD信號通過(guò)TLP250光耦構成驅動(dòng)電路,分別驅動(dòng)S1 ~ S44組開(kāi)關(guān)管。OA/OB和OC/OD相位互補,OA(OB)領(lǐng)先OC(OD)一定的相移角。
由于全橋移相開(kāi)關(guān)管采用IGBT,電流關(guān)斷時(shí)存在拖尾現象,開(kāi)關(guān)管兩端并聯(lián)電容比較大,空載損耗比較大。因此,設計中采用了降低模塊輕載時(shí)開(kāi)關(guān)頻率的方法,即當輸出電流為0.5A時(shí),適當降低開(kāi)關(guān)頻率;當輸出電流為0.5A時(shí),模塊的開(kāi)關(guān)頻率將恢復到正常值。實(shí)際的頻率降低電路如圖3所示?!拜斎胼敵觥笔禽敵鲭娏髦?,IREF是設定的電流閾值。當輸出電流超過(guò)設定的電流閾值時(shí),Q1接通,UC3879的振蕩電阻變?yōu)镽28和R17(R17見(jiàn)圖2)并聯(lián);當輸出電流小于設定的電流閾值時(shí),Q1關(guān)閉,UC3879的振蕩電阻為R17。
圖3頻率降低控制電路
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